钨钛（WTi）薄膜在半导体和光伏电池行业中可用作Al和Si之间有效的扩散阻挡层，其主要通过物理气相沉积（PVD）技术、通过磁控溅射WTi合金靶材而获得。 在半导体工业中，钨薄膜主要用作构成电子部件的材料，例如栅电极或布线材料。这些电子部件的集成度、可靠性、功能特性和处理速度等要求日益增加。 钨硅靶材通过物理气相沉积技术（PVD）制备得到钨硅薄膜，应用在半导体、特别是存储器，如DRAM中，充当有效的栅极奥姆接触层

应用领域：半导体及电子技术  电光源  航空航天及汽车工业

行业中希望获取高性能的WTi合金靶材，即溅射过程中产生的颗粒数少、得到的薄膜均一性高幷且具有优良电性能的靶材。为了满足复杂集成电路扩散阻挡层可靠性的要求，虹鹭的WTi合金靶材具有高纯度和高密度的特性。

虹鹭生产的钨靶密度高，组织均匀，溅射的钨薄膜具有低电阻、高耐热等特性，广泛用于半导体电子部件中，幷且很好的满足了行业需求。

半导体领域用的钨硅靶材在纯度、组织结构控制以及靶材组件整体质量一致性等方面具有十分严格的要求，其对薄膜的性能起着至关重要的影响。

产品形态：

钨 / 钨钛 / 钨硅靶材，形状可定制

纯度：钨（上至5N）/  钨钛（上至4N5）/ 钨硅（上至4N5）